Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques

Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques

Matthias Rudolph, Christian Fager, David E. Root
როგორ მოგეწონათ ეს წიგნი?
როგორი ხარისხისაა ეს ფაილი?
ჩატვირთეთ, ხარისხის შესაფასებლად
როგორი ხარისხისაა ჩატვირთული ფაილი?
Achieve accurate and reliable parameter extraction using this complete survey of state-of-the-art techniques and methods. A team of experts from industry and academia provides you with insights into a range of key topics, including parasitics, intrinsic extraction, statistics, extraction uncertainty, nonlinear and DC parameters, self-heating and traps, noise, and package effects. Learn how similar approaches to parameter extraction can be applied to different technologies. A variety of real-world industrial examples and measurement results show you how the theories and methods presented can be used in practice. Whether you use transistor models for evaluation of device processing and you need to understand the methods behind the models you use, or you want to develop models for existing and new device types, this is your complete guide to parameter extraction.
წელი:
2011
გამოცემა:
1
გამომცემლობა:
Cambridge University Press
ენა:
english
გვერდები:
368
ISBN 10:
0521762103
ISBN 13:
9780521762106
სერია:
Cambridge RF and Microwave Engineering Series
ფაილი:
PDF, 13.53 MB
IPFS:
CID , CID Blake2b
english, 2011
ჩატვირთვა (pdf, 13.53 MB)
ხორციელდება კონვერტაციის -ში
კონვერტაციის -ში ვერ მოხერხდა

საკვანძო ფრაზები